半導體功率器件質(zhì)量提升強大專家技術(shù)團隊服務(wù)背景

功率半導體器件在生產(chǎn)和使用過程中往往受到各種應(yīng)力和環(huán)境因素的影響，達不到預(yù)期的壽命或功能，即發(fā)生失效現(xiàn)象。失效分析是一門新興發(fā)展中的學科，在提高產(chǎn)品質(zhì)量，技術(shù)開發(fā)、改進，產(chǎn)品修復(fù)及仲裁失效事故等方面具有很強的實際意義。

半導體功率器件質(zhì)量提升強大專家技術(shù)團隊服務(wù)內(nèi)容

一、半導體功率器件失效分析流程

1、失效信息背景調(diào)查，充分了解器件失效現(xiàn)象（不工作/導致上下端工作異常）、失效比例（偶然/集中一批）、使用環(huán)境（戶外/海邊/高海拔等）、失效發(fā)生階段（新產(chǎn)品/成熟產(chǎn)品）、工藝材料變更信息，這些都會有助于快速鎖定問題根源。

2、制定失效分析方案，根據(jù)提供背景信息結(jié)合技術(shù)經(jīng)驗，制定有針對性的分析方案可以降低失效分析成本，加快失效分析進度，提高失效分析成功率。同時對各種可能的原因準備相應(yīng)的處理措施。（制定的方案不會是一成不變的，實際分析項目會根據(jù)新發(fā)現(xiàn)的現(xiàn)象和分析結(jié)果及時調(diào)整）

3、通過各種非破壞、半破壞、破壞性試驗確定失效位置，這里需要高超的制樣技巧和設(shè)備精度，目的是限度地防止把被分析器件的真正失效因素、跡象丟失或引入新的失效因素，以期得到客觀的分析結(jié)論。

4、根據(jù)失效位置形貌、元素成份、物理結(jié)構(gòu)，結(jié)合失效背景、技術(shù)經(jīng)驗，推斷導致失效可能原因，并逐個排查最終找到失效根因形成邏輯閉環(huán)。

5、預(yù)防與改進措施建議，客戶往往忽略這一點，根據(jù)失效原因進行重現(xiàn)及提出改進措施（更優(yōu)原材料、優(yōu)化工藝參數(shù)、器件結(jié)構(gòu)改進、更合理的測試方法及條件、更嚴格的質(zhì)量監(jiān)控等）最終關(guān)閉此問題點。

二、功率半導體器件失效分析常見測試內(nèi)容

1、電學性能：IF、UR、IR，VSD、IDSS、BVDSS、IGSS、VGS（TH）、RDS（ON）、VDS（ON），RG、CIES、COES，Td（ON）、Tr、Td（OFF）、Tf、EON、EOFF、Trr、Qrr、Irrm、QG，Rth（j-c）等靜態(tài)、動態(tài)參數(shù)

2、塑封料：注塑工藝評價、缺陷查找、膠水基材種類、有無污染物、氣泡，氣密性評估、膠水耐熱性、ESD元素分析、FTIR紅外光譜分析

3、粘結(jié)料涂覆及固晶制程：粘結(jié)料涂覆工藝評價、缺陷查找、成份分析、空洞率、厚度，固晶工藝評價、頂針痕、吸嘴印、芯片平整度、污染物檢測、鈍化層損傷

4、芯片：工藝觀察、清潔度檢查、耐壓環(huán)及元胞微觀結(jié)構(gòu)測量、缺陷定位、缺陷暴露、抗靜電能力檢測

5、引線鍵合：工藝評價、一焊和二焊形貌觀測、鍵合接觸面微觀形貌觀測、鍵合IMC健康檢測、弧形弧高測量、鍵合線直徑測量、成份鑒定、PAD成份結(jié)構(gòu)觀測

6、引線框架：引線框架（含DBC等各種材質(zhì)）涂鍍層厚度測量、成份檢測、工藝評價、缺陷查找、變色變粗糙等老化原因分析。

我們的優(yōu)勢

廣電計量經(jīng)過在功率半導體器件方面數(shù)年積累，形成了博士7人、碩士13人的專業(yè)人才團隊，各方面研究方向同步業(yè)內(nèi)研究進展，多套設(shè)備（靜態(tài)/動態(tài)參數(shù)測試：B1505A、B1506A、SW8200A等，物理分析：T3Ster、DB FIB、FE SEM、InGaAs、ORBICH、Thermal Emmi等）?？梢詮牟牧辖嵌取⒐に囍瞥探嵌?、使用存儲環(huán)境角度查找缺陷，定位失效點，從而找出失效的原因，并針對失效原因提出可行的改善建議。通過承接大量客戶新產(chǎn)品驗證、AEC-Q車規(guī)認證等各種可靠性試驗后器件失效案例分析，積累了豐富的各種應(yīng)力導致的失效模式、失效機理數(shù)據(jù)庫材料，同時積累了豐富的器件結(jié)構(gòu)經(jīng)驗、熟練的制樣經(jīng)驗，可以快速準確為您判定失效根因。