IGBT及第三代半導(dǎo)體器件全參數(shù)測(cè)試

簡(jiǎn)要描述：

廣電計(jì)量專家團(tuán)隊(duì)深入解讀IGBT測(cè)試相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，建立功率模塊可靠性驗(yàn)證技術(shù)能力，可以為功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上下游企業(yè)提供IGBT及第三代半導(dǎo)體器件全參數(shù)測(cè)試驗(yàn)證報(bào)告。

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更新日期：2024-09-04

價(jià)格：

詳細(xì)介紹

品牌	廣電計(jì)量	加工定制	是
服務(wù)區(qū)域	全國	服務(wù)周期	常規(guī)3-5天
服務(wù)類型	元器件篩選及失效分析	服務(wù)資質(zhì)	CMA/CNAS認(rèn)可
證書報(bào)告	中英文電子/紙質(zhì)報(bào)告	增值服務(wù)	可加急檢測(cè)
是否可定制	是	是否有發(fā)票	是

IGBT及第三代半導(dǎo)體器件全參數(shù)測(cè)試服務(wù)范圍

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分立器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊。

IGBT及第三代半導(dǎo)體器件全參數(shù)測(cè)試檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

l AEC-Q101分立器件認(rèn)證

l MIL-STD-750半導(dǎo)體器件試驗(yàn)?法

l IEC60747系列SemiconductorDevices,DiscreteDevices

l GB/T29332半導(dǎo)體器件-分立器件-第9部分：絕緣柵雙極晶體管(IGBT)

l AQG324功率模塊?規(guī)認(rèn)證

檢測(cè)項(xiàng)目

試驗(yàn)類型	試驗(yàn)項(xiàng)?
靜態(tài)參數(shù)	BVDSS、IDSS、IGSS、VGS(th)、RDS(on)、VDS(on)、VSD、Rg、Cies、Coes、Cres、gfs、Vgs(pl)…
動(dòng)態(tài)參數(shù)	td(on)、tr、td(off)、tf、Eon、Eoff、trr、Qrr、Irrm、dirr/dt、QG、QGC、QGE…
其他參數(shù)	Rth(j-c)、Unclamped Inductive Switching、RBSOA、SCSOA…

相關(guān)資質(zhì)

CNAS

服務(wù)背景

功率器件在新能源汽車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用，其中，IGBT技術(shù)瓶頸不斷被打破，第三代半導(dǎo)體功率器件也開始由實(shí)驗(yàn)室階段步?商業(yè)應(yīng)用。通常這些新型器件測(cè)試要求更?的電壓和功率?平，更快的開關(guān)時(shí)間，對(duì)測(cè)試設(shè)備及人員技術(shù)要求?，在研發(fā)時(shí)間與成本的雙重壓力下，全參數(shù)測(cè)試成為不少制造商的難題。

我們的優(yōu)勢(shì)

廣電計(jì)量積極布局新型IGBT及第三代半導(dǎo)體功率器件的測(cè)試業(yè)務(wù)，引進(jìn)測(cè)試技術(shù)，為功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上下游企業(yè)提供器件全參數(shù)檢測(cè)服務(wù)。同時(shí)，廣電計(jì)量通過構(gòu)筑檢測(cè)認(rèn)證與分析?體化平臺(tái)，為客?提供器件可靠性驗(yàn)證及失效分析，幫助客戶分析失效機(jī)理，指導(dǎo)產(chǎn)品設(shè)計(jì)及?藝改進(jìn)。