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AEC-Q101認證試驗第三方檢測機構

簡要描述:

廣電計量AEC-Q101認證試驗第三方檢測機構在SiC第三代半導體器件的AEC-Q認證上具有豐富的實戰(zhàn)經驗,為您提供專業(yè)可靠的AEC-Q101認證服務,同時,我們也開展了間歇工作壽命(IOL)、HAST、H3TRB、HTRB、HTGB、高壓蒸煮(Autoclave)試驗服務,設備能力覆蓋以SiC為第三代半導體器件的可靠性試驗能力。

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更新日期:2024-09-04

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AEC-Q101認證試驗第三方檢測機構
品牌廣電計量加工定制
服務區(qū)域全國服務周期常規(guī)3-5天
服務類型元器件篩選及失效分析服務資質CMA/CNAS認可
證書報告中英文電子/紙質報告增值服務可加急檢測
是否可定制是否有發(fā)票

AEC-Q101認證試驗第三方檢測機構服務背景

AEC-Q101對對各類半導體分立器件的車用可靠性要求進行了梳理。AEC-Q101試驗不僅是對元器件可靠性的國際通用報告,更是打開車載供應鏈的敲門磚。 廣電計量在SiC第三代半導體器件的AEC-Q認證上具有豐富的實戰(zhàn)經驗,為您提供專業(yè)可靠的AEC-Q101認證服務,同時,我們也開展了間歇工作壽命(IOL)、HAST、H3TRB、HTRB、HTGB、高壓蒸煮(Autoclave)試驗服務,設備能力覆蓋以SiC為第三代半導體器件的可靠性試驗能力。

隨著技術的進步,各類半導體功率器件開始由實驗室階段走向商業(yè)應用,尤其以SiC為代表的第三代半導體器件國產化的腳步加快。但車用分立器件市場均被國外所把控,國產器件很難分一杯羹,主要的原因之一即是可靠性得不到認可。


測試周期

2-3個月,提供全面的認證計劃、測試等服務


AEC-Q101認證試驗第三方檢測機構產品范圍

二、三極管、晶體管、MOS、IBGT、TVS管、Zener、閘流管等半導體分立器件


測試項目

序號

測試項目

縮寫

樣品數(shù)/批

批數(shù)

測試方法

1

Pre- and Post-Stress Electrical and Photometric Test

TEST

所有應力試驗前后均進行測試

用戶規(guī)范或供應商的標準規(guī)范

2

Pre-conditioning

PC

SMD產品在7、8、9和10試驗前預處理

JESD22-A113

3

External Visual

EV

每項試驗前后均進行測試

JESD22-B101

4

Parametric Verification

PV

25

3 Note A

用戶規(guī)范

5

High Temperature
Reverse Bias

HTRB

77

3 Note B

MIL-STD-750-1
M1038 Method A

5a

AC blocking
voltage

ACBV

77

3 Note B

MIL-STD-750-1
M1040 Test Condition A

5b

High Temperature
Forward Bias

HTFB

77

3 Note B

JESD22
A-108

5c

Steady State
Operational

SSOP

77

3 Note B

MIL-STD-750-1
M1038 Condition B(Zeners)

6

High Temperature
Gate Bias

HTGB

77

3 Note B

JESD22
A-108

7

Temperature
Cycling

TC

77

3 Note B

JESD22
A-104
Appendix 6

7a

Temperature
Cycling Hot Test

TCHT

77

3 Note B

JESD22
A-104
Appendix 6

7a
alt

TC Delamination
Test

TCDT

77

3 Note B

JESD22
A-104
Appendix 6
J-STD-035

7b

Wire Bond Integrity

WBI

5

3 Note B

MIL-STD-750
Method 2037

8

Unbiased Highly
Accelerated Stress
Test

UHAST

77

3 Note B

JESD22
A-118

8
alt

Autoclave

AC

77

3 Note B

JESD22
A-102

9

Highly Accelerated
Stress Test

HAST

77

3 Note B

JESD22
A-110

9
alt

High Humidity
High Temp.
Reverse Bias

H3TRB

77

3 Note B

JESD22
A-101

10

Intermittent
Operational Life

IOL

77

3 Note B

MIL-STD-750
Method 1037

10
alt

Power and
Temperature Cycle

PTC

77

3 Note B

JESD22
A-105

11

ESD
Characterization

ESD

30 HBM

1

AEC-Q101-001

30 CDM

1

AEC-Q101-005

12

Destructive
Physical Analysis

DPA

2

1 NoteB

AEC-Q101-004
Section 4

13

Physical
Dimension

PD

30

1

JESD22
B-100

14

Terminal Strength

TS

30

1

MIL-STD-750
Method 2036

15

Resistance to
Solvents

RTS

30

1

JESD22
B-107

16

Constant Acceleration

CA

30

1

MIL-STD-750
Method 2006

17

Vibration Variable
Frequency

VVF

項目16至19是密封包裝的順序測試。 (請參閱圖例頁面上的注釋H.)

JEDEC
JESD22-B103

18

Mechanical
Shock

MS



JEDEC
JESD22-B104

19

Hermeticity

HER



JESD22-A109

20

Resistance to
Solder Heat

RSH

30

1

JESD22
A-111 (SMD)
B-106 (PTH)

21

Solderability

SD

10

1 Note B

J-STD-002
JESD22B102

22

Thermal
Resistance

TR

10

1

JESD24-3,24-4,26-6視情況而定

23

Wire Bond
Strength

WBS

最少5個器件的10條焊線

1

MIL-STD-750
Method 2037

24

Bond Shear

BS

最少5個器件的10條焊線

1

AEC-Q101-003

25

Die Shear

DS

5

1

MIL-STD-750

Method 2017

26

Unclamped
Inductive
Switching

UIS

5

1

AEC-Q101-004
Section 2

27

Dielectric Integrity

DI

5

1

AEC-Q101-004
Section 3

28

Short Circuit
Reliability
Characterization

SCR

10

3 Note B

AEC-Q101-006

29

Lead Free

LF



AEC-Q005


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